금요일, 1월 10, 2025

부품으로 만드는 연산 증폭기(DIY Op Amp): 0. 전문 해설

부품으로 만드는 연산 증폭기(DIY Op Amp)

짐 키스(JIM KEITH)/ 2013년 7월 12일

[주] 이 글은 원문( https://www.electroschematics.com/diy-operational-amplifier/ )을 한글로 옮긴 것이다. 그 과정에서 옮긴이의 해석(또는 오류)이 더해져 있다. 

이 글에서 소개하는 연산 증폭기는 교육적 목적이며 실용적이지 않을 수도 있다. 이 회로를 만들고 실험하면 이와 동일한 모놀리딕[1] 버전의 연산 증폭기 내부의 구성을 배우고 이해하게 될 것이다. 연산 증폭기에 대해 배우고 알아야 할 것이 너무 많아서 어디서부터 시작해야 할지 모르겠다면 이 글로 시작하기 좋다고 믿는다. 연산 증폭기의 응용 분야로는 반전 증폭기, 비반전 증폭기 같은 증폭은 물론 적분기 및 전압 비교기 같은 아날로그 계산기(연산)가 있다.  실용적인 응용 분야 중 하나는 헤드폰 증폭기일 수 있다. 이는 연산 증폭기의 다양한 응용중 기본적인 몇가지다.

[주1] 모노리딕(monolithic)의 사전적으로 "단일" "획일"의 의미다. 전통적 방법으로 한 웨이퍼에서 단일 공정으로 만들었다는 뜻이다. 최근 반도체 공정이 다양화하면서 상이한 공정에서 제조한 여러 칩을 적층하는 방법으로 패키지 한다. 요즘은 규모가 큰 칩들을 적층 패키지 하는데 이를 칩렛이라는 용어도 쓰인다.

DIY 연산 증폭기(Op Amp) 회로도

이 글에서 다룰 연산 증폭기의 회로는 아래와 같다. 커런트 소스(current source), 차동 증폭기(differential amplifier), 구동기(driver) 그리고 출력단(output stage)으로 구성되었다.

Op Amp의 응용

전원(Power Supplies)

연상 증폭기 회로에 공급될 전원은 양전압과 음전압으로 분할하였다. 전압 범위는 ±6~±15V다. Op Amp와 관련된 회로들에서 ± 전원의 사용이 필수 인듯이 보이는 것은 오해다. 회로에 공급되는 전원은 입출력 신호가 가질 전압 범위를 정할 뿐이다. 공급 전원의 ± 전압이 동일할 필요는 없다. 적절한 바이어싱 및 커패시터 결합 기술을 사용하면 ± 전압이 아닌 단일 전압 공급을 사용할 수 있지만, 이에 대해서는 이 글에서 논의하지 않는다[2].

[주2] 오디오 앰프로 널리 사용되는 LM386은 단일 전원을 사용한다. LM386으로 마이크 앰프 만들기, https://blog.naver.com/mazechannel/222208977263

입력 차동쌍(Input Differential Pair)

Q1 및 Q2는 차동 증폭기를 구성한다. 차동 증폭기는 연산 증폭기의 근본(foundation)이며 반전 및 비반전 입력을 모두 제공하므로 수많은 응용 분야에서 사용할 수 있다[3]. 두 입력 전압의 차이를 정확히 얻으려면 두 트랜지스터의 특성이 동일(matched pair)해야 한다. 두 트랜지스터가 매칭 되어야 한다고 한다. 만일 일치하지 않으면 입력의 기준이 한쪽으로 치우치게 되는데 이를 입력 오프셋 전압(offset voltage)이라고 한다. 참고로 단일 트랜지스터 증폭기의 입력 전압은 약 650mV 다. 차동 증폭기에서는 균형을 맞춘(매칭된) 두 트랜지스터의 650mV 입력 오프셋 차이는 일반적으로 10mV 미만이 된다[4].

[주3] 차동(differential)이라는 말에서 부터 연산의 냄새가 난다. 두 입력의 차이, 즉 뺄셈이다. 혹은 미분이다. 연산과 미적분의 가능성을 나타낸다.

[주4] 실리콘 트랜지스터가 작동하려면 베이스 입력이 650mV 이상 되어야 한다(트랜지스터 작동 문턱전압, threshold voltage). 차동 쌍을 구성하는 두 트랜지스터가 작동하여 각각 동작 했을 때 10mV 미만의 차이도 감지해 낸다.

또 다른 중요한 매개변수는 입력 바이어스 전류로 항상 가능한 한 낮게 유지하는 것이 목표다. 이 회로에서는 약 100nA로 작동된다[5]. 이상적으로는 입력 바이어스 전류가 동일해야 하지만 그렇지 않은 경우 차이를 입력 오프셋 전류라고 합니다. 일반적으로 이 매개변수는 고임피던스 또는 매우 높은 정확도 회로를 제외하고는 무시된다.

[주5] 작은 에너지로 작동할 수록 좋은 회로다.

차동 증폭기에 바이어스 주기

차동 증폭기에는 커런트 소스(Current Source)가 필요하다[7]. 커런트 소스는 전류 흐름을 제어하는 용도로 전류가 흐르는 경로에 고정 저항을 두거나 위의 회로처럼 트랜지스터를 사용하여 전류 흐름을 일정하게 만들 수도 있다. 고정저항인 경우 음극 공급이 항상 동일하거나 입력 노드가 0 볼트인 반전 증폭기로 적용되는 경우 효과적이다. 커런트 소스가 제어하는 전류는 회로에 공급되는 전원의 전압범위에 따라 달라지며 비반전 증폭기의 공통 모드 전압의 범위에도 영향을 준다.

[주6] "바이어스(bias)"는 트랜지스터가 작동되도록 베이스와 에미터 사이에 인가하는 전압이다. 차동 증폭기를 구성하는 두 트랜지스터의 에미터 측에 커런트 소스 회로가 있다는 점에 주목하자.

[주7] 커런트 소스(Current Source)를 "전류원"으로 해석하면 오해를 살 수 있다. 전류 흐름을 제어하는 회로다. 고정 저항을 써서 전류 흐름을 제한 할 수 있지만 커런트 소스라 하지 않는다. 트랜지스터를 사용하여 전류 흐름을 일정하게 유지하는 능동적인 전류 제어 회로를 커런트 소스라 한다. 커런트 소스는 시뮬레이션 회로도에서 전류 흐름 화살표에 원을 그려 표현한다. 위의 회로처럼 전류 흐름의 종착지에 붙은 경우 커런트 싱크라 한다. 커런트 소스와 싱크를 구분하지 않고 통칭 "커런트 소스"라 한다.

연산증폭기 회로에서 "커런트 소스"의 전압 기준은 R1, D1 및 D2로 잡혀있다. 전원은 +12V와 -12V를 인가하여 총 전압차는 24볼트다. D1과 D2를 거치면서 각 다이오드 당 0.6볼트의 전압 강하가 발생한다. Q3의 베이스에 음의 레일(-12V 전원선) 기준 1.2V의 바이어스가 인가되면 에미터에 약 500mV의 전압강하가 발생한다[8]. 이제 R3에 걸리는 전압이 고정되어 컬렉터로 들어오는 전류가 본질적으로 에미터 전류와 같으므로 Q3의 컬렉터 전류는 더 이상 입력 전압(Q1과 Q의 베이스 전압)의 함수가 아니다(Q3의 컬렉터 전류는 상수). 이것이 "커런트 소스"의 기본 작동이다[9].

[주8] Q3의 베이스에 상시로 D1과 D2의 전압 강하 만큼 (-12V, 네가티브 레일로부터) 1.2V 바이어스가 걸려 있다. Q1과 Q2는 작동하지 않다면 컬렉터가 개방된 것과 같다. Q3의 베이스와 에미터 사이에 다이오드로 작동하여 약 0.5V 전압 강하를 일으킨다.

[주9] R3에 걸리는 전압이 고정되었다면 컬렉터로 들어올 수 있는 전류량은 에미터의 전류량에 고정된다. 이는 Q1과 Q2를 통과할 수 있는 전류의 총량이 고정된다는 뜻이다. Q3가 전류 제어를 능동적으로 제어하는 셈이다. 

차동 증폭기에서 분할되어 "커런트 소스"로 흐르는 고정된 전류량은 Q1 및 Q2의 컬렉터 전류의 합이다.

입력 오프셋 전압 조정

입력 오프셋의 조정은 Q1 및 Q2의 Vbe 및 hFE 특성을 일치시키는 것이다[10]. 이 외에도 R2 및 R3의 값이 중요하다. 이 중 하나는 입력에 0을 넣어 오프셋 전압을 조정할 수 있다. 필자는 R3을 변경했다.

[주10] Vbe는 트랜지스터를 동작 시킬 수 있는 에미터와 베이스 사이의 바이어스 전압으로 문턱 전압이라고 한다. hFE는 베이스 입력에 대하여 컬렉터와 에미터 사이에 흐르는 전류의 비율로 이득(gain) 이다. 예를 들어 2n2222의 hFE는 75인데 베이스에 1mA를 흘리면 컬렉터 전류는 75mA 가 된다. "트랜지스터 데이터 시트의 이해" https://ds1orj.tistory.com/17 를 참고한다.

차동 증폭기에서 출력 얻기

R2의 크기는 전압 강하가 650mV가 되도록 조정되었다[11]. 이는 공통 에미터 트랜지스터 증폭기로 구성된 Q4의 Vbe 임계값(문턱전압)과 동일하다.

[주11] 커런트 싱크의 고정 전류량이 100uA로 정했었다. 두 차동 증폭기의 Q1과 Q2가 매칭되었다면 동일하게 50uA씩 나눠 흐른다. 차동 증폭기의 출력(반전 입력단 Q1의 컬렉터로 전류가 유입)으로 Q4를 구동 시키기로 한다.  Q4는 PNP 트랜지스터 이므로 작동 시키려면 에미터보다 낮게 바이어스 전압이 걸려야한다. Q4의 작동전압을 0.65V라 하고 전류 공급량을 5uA라 하면 R2의 저항 값을 구할 수 있다. 옴의 법칙이 열일한다.

[주12] 트랜지스터의 에미터 컴먼 증폭기에서 컬렉터 출력은 베이스 바이어스와 반대 위상을 취한다. 따라서 차동 증폭기 출력이 Q4의 베이스를 구동하므로 Q1의 베이스 입력을 반전 입력이라 한다. 트랜지스터를 구동하는 베이스 바이어스 Vbe는 컴먼 측에 대한 상대 전위차다.

Q4의 이득 및 출력 전압 변화폭(스윙) 증가

일반적인 (고정된 저항값을 가진) 부하 저항과는 달리 Q4는 능동적 부하로서 컬렉터 전류가 "커런드 소스(Q5)"의 전류원으로 작동한다[12]. 이는 출력 전압이 음의 레일에 접근하면서 출력 트랜지스터를 강하게 구동한다. 또한 "커런트 소스" Q5의 컬렉터에 연결된 Q4는 높은 동적 저항을 가지고 있고 트랜지스터의 전압 이득은 부하 저항의 함수이기 때문에 이 단계의 전압 이득을 상당히 증가시킨다[13].

[주12] 앞서 차동 앰프의 출력 설계시 Q4의 베이스 전압은 양의 레일(+12볼트 전원선)보다 0.65볼트 낮도록 설계(R2 값 설정) 했었다. 따라서 Q4는 항상 켜있게 되어 Q5 의 "커런트 소스"와 함께 전류 동작회로가 된다.

[주13] 원문 설명이 다소 애매한 점이 있다. Q4와 Q5가 전류 동작 회로라는 점을 기억해 두고 정성적으로 풀어보기로 한다. 차동 앰프의 반전 입력단 Q1에서 끌어가는 전류(IB)에 의하여 Q4의 컬렉터 전류(IC)가 제어된다. Q5의 커런트 소스의 고정 전류값은 R4와 R6에 의해 1mA로 설계 되었다. Q5는 Q3와 동일한 "커런트 소스"이지만 끌어올 전류량이 10배 크다. IB의 증가로 IC 가 감소하면 커런트 소스가 고정된 전류를 끌어당겨야 하므로 Q4의 컬렉터 전압 VC를 상승시켜 이를 만회한다. 원문에서는 Q4를 사용하여 능동적인 부하저항으로 사용 하므로써 전압 이득을 얻고 있다고 설명했다.

[주14] 트랜지스터는 베이스와 에미터 사이의 바이어스 전압 Vbe 에 의해 켜지거나 꺼지는 스위치다. Vbe가 문턱전압보다 높아 일단 스위치가 켜지면 컬렉터와 에미터 사이를 흐르는 전류량은 베이스 전압과 전류의 곱(에너지)로 제어된다.

출력부

Q6 및 Q7은 상호 대칭 출력부를 구성한다[15]. 이는 양극 또는 음극에서 작동하는 현명한 에미터 팔로워(emitter follower)다[16]. 두 트랜지스터 베이스 단자는 두 개의 실리콘 다이오드를 통해 바이어스 되었다[17]. 다이오드가 트랜지스터의 작동에 필요한 최소치인 Vbe 임계값에 맞추게되므로 출력부의 정전류(quiescent current)는 없다[18]. 이를 제로 바이어스 설정(zero bias configuration) 이라고도 하는데, 두 트랜지스터가 작동하지 않을때 모두 꺼져 있기 때문이다. 단점은 잠재적인 크로스오버 왜곡(cross-over distortion)의 영향을 받는다는 것이다[19]. (다행히) 이 회로에서 크로스오버 왜곡을 감지할 수 없었다.

크로스오버 왜곡은 출력 전류가 상단 트랜지스터에서 하단 트랜지스터로 전환될 때 발생한다. LM358 및 LM324와 같은 일부 모노리식(IC) 연산 증폭기는 동일한 문제가 있다. 다른 연산 증폭기는 두 바이어스 다이오드와 직렬로 저항을 추가하여 이 문제를 해결한다. 여기에는 회로를 복잡하게 만드는 경향이 있는 에미터 저항도 필요하다. 크로스오버 왜곡은 연산 증폭기가 모든 시간을 트랜지스터를 스위칭하는 데 사용하는 저신호 레벨에서 가장 분명하게 나타난다.

[주15] 음전압과 양전압 양쪽 방향으로 구동

[주16] 증폭 회로의 출력을 취하는 단자가 에미터

[주17] "바이어스 되었다"는 트랜지스터의 베이스에 문턱 전압 이상의 전압을 가해 켰다는 뜻이다.

[주18] 트랜지스터를 작동 시키는 용도 이외에 에너지 소모는 없다. 대기전력 손실이 없다.

[주19] 출력 전압이 0을 지날때 생기는 왜곡이다. 트랜지스터는 문턱 전압 인근에서 작동하지 않는다. 음과 양의 전압을 오가는 신호를 다룰 때 왜곡이 일어날 수 있기 때문에 대개 한쪽 전압으로 모두 올려 놓고 처리 한 후 다시 음과 양의 전압계로 되돌린다.

주파수 보상

C1은 진동(불안정성)이 발생할 수 있는 고주파수에서 이득을 줄이기 위해 주파수 보상을 제공한다. 이 보상 컨덴서가 없을 경우 2mHz에서 진동을 잃으켰다.

단점

세상에 완벽한 연산 증폭기는 없지만 일부 모놀리딕 연산증폭기는 매우 우수한 성능을 보여준다. 교육적 목적으로 단순하게 설계한 이 회로에는 다음과 같은 몇 가지 단점이 있다.

- 열 안정성에 대한 대비가 없다. 실온에서만 제대로 작동한다.
- 비교적 높은 입력 오프셋 전압이 있지만 무효화 시킬 수 있다.
- 출력 과전류 보호 기능이 부족하다.
- 개방 루프 전압 이득이 크지않다. 모노리딕 연산 증폭기의 개방 루프 전압 이득은 여기에 나온 회로도의 것보다 최소한 열배이상 높다.
- 큰 크로스오버 왜곡이 잠재되어 있다.

실험자를 위한 연습 제안

- 누설 전원 공급 전류 측정: 매우 쉽다.
- Null 입력 오프셋 전압: 전압 이득을 100으로 설정하고 입력을 접지하고 R2 또는 R3을 조정하여 출력 전압이 0이 되도록 한다.
- 열 안정성 관찰: 입력 오프셋 전압이 무효화된 후 회로에 뜨거운 공기를 불어넣고 출력 전압이 변화하는 것을 관찰한다(헤어 드라이어 사용)
- 입력 바이어스 전류 측정: 입력 단자와 직렬로 100K 저항을 추가하고 저항기 전압 강하를 측정한 다음 전류를 계산한다.
- 1V AC 출력 및 전체 출력 전압에서 주파수 응답을 측정하여 도표로 그려보자.
- 개방 루프 이득 측정: 전체 출력 전압을 갖는 반전 증폭기로 설정, 입력 노드 전압 측정, AC 출력 전압을 AC 입력 노드 전압으로 나눈다. (이것은 매우 높은 개방 루프 이득 때문에 모노리식 연산 증폭기에서는 수행할 수 없다).
- 양쪽 극성(양극 및 음극)에서 최대 슬루율을 결정한다.
- 오실로스코프를 사용하여 사인파를 얼마나 잘 증폭하는지 살펴보자.
- 아마도 당신은 이 비교적 원시적인 회로를 실험하고 개선할 수 있을 것이다.

결론

이 연습을 통해 여러분이 배웠기를 바란다. 이제 우리 모두는 싱글뿐만 아니라 듀얼, 쿼드로 제공되는 모노리딕 연산 증폭기 집적 회로의 장점과 성능을 더 잘 이해할 수 있게 되었을 것이다.

[주20] 중국의 생산과잉으로 각종 공산품들을 매우 싸게 공급되고 있다. 게중에 상당수 "쓰레기" 수준의 물건들로 비난을 사기도 하고 "가짜" 부품들도 적잖다는 말을 듣는다. 이는 전자부품이나 멀티 테스터, 오실로스코프 같은 측정기도 예외는 아니다. 다행이라면 어느정도 정밀도를 감수하면 매우 저렴하게 구입할 수 있다. 학습용으로 무난 하다. 아래 사진에서 바닥에 누워있는 멀티메터는 3,000 원짜리다. 트랜지스터 측정 기능은 가짜지만 나머지 기능들은 약간의 오차를 감안하면 쓸만 하다. 구입한 여러대 중 전압 측정 편차는 약 0.05볼트 였다. (정밀 전원 장치가 없으니 정확도는 모름)

덕분에 요즘 전자공작을 취미로 하는 "메이커(Maker)"들이 늘었다. 전자회로 꾸미기를 넘어 반도체 설계까지 끝없이 확장 되었다. 내집 책상위에서 연산 증폭기(Op Amp)의 내부를 구성하는 회로들을 꾸며가며 하나하나 들여다 보기로 한다. SPICE 시뮬레이션도 해보자. 마침 "내 칩 제작 서비스"가 공짜라고 하니 레이아웃도 그려서 칩으로 만들어보자.

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[다음] 1. 커런트 소스(싱크)


일요일, 1월 05, 2025

[양평집] 2024년 12월, 다사다난....

[양평집] 2024년 12월, 다사다난....

연말이면 대학교수들이 모여 한 해를 대표하는 사자성어를 발표하는데 2024년은 "도량발호"라고 한다. 뛸 도(跳), 들보 량(梁), 밟을 발(跋), 뒤따를 호(扈)의 한자로 '권력이나 세력을 제멋대로 부리며 함부로 날뛰는 행동이 만연하다'는 뜻이다. 내 수준에서는 다사다난이 제격이다. 어느해 인들 안그랬겠냐만 일도많고 탈도 많았던 한 해다. 다만 아쉽다면 그 탈이 여전히 진행 중이기 때문이다.

입학과 졸업이라는 축하에 곧바로 따르는 고통이 입시와 취업이다. 어쩌다 운좋게 학교에 계약직 "교수" 명함을 받게 됐었다(이번학기로 끝나게 되었지만). 지난 2년간 해 온 작업들을 정리할 겸 몇차례 학회 발표를 했었다. 10여년만에 해보는 논문 발표는 신선했다.

학생들을 지도 하려고 여러 자료들을 검색한 탓인지 유튜브 알고리즘은 취업을 목표로 사교육 온-라인 교습소 홍보 영상들을 많이 추천한다. 그중 "삼성전자 반도체 회로설계 엔지니어가 되려면 꼭 이 '두 가지' 역량을 기르세요![링크]" 라는 홍보 동영상을 보며 머리가 다소 복잡해졌다.

이 (홍보) 동영상에 따르면 대기업 입사 면접에서 지원자에게 문제를 준다는데 난이도가 만만치 않다. 이에 대비 하려면 학교 수업만으로는 부족하니 사교육 시장이 성장 했으리라. 입시 사교육도 모자라 취업 사교육 이라니 젊은 세대들은 공부하랴 머리가 터져나가고, 학부모들은 학비 대느라 등이 터져나갈 판이다. 

기성세대(학부모, 교육자, 직장인)들 중 학교에서 전공한 대로 인생이 풀린 이가 얼마나 될까. 치열한 경쟁속에서 소수가 살아 남는다는 것을 잘 알면서 취업을 미끼로 좁은 골목으로 몰아 넣는것 같다. 학부 교육에서부터 너무 시야를 좁히지 않았으면 좋겠다. 전공 학과를 선택했다는 것 만으로도 충분히 좁혀져 있다.

입시에서 좋은 성적을 거둔 학생들이 (졸업 후 고수입을 보장 받을지도 모르는) 실용적인 학과로 몰리자 취업을 보장 한다는 유혹까지 내걸며 학생들을 모집한다. 졸업 후 수월하게 현장 투입 가능한 인력을 원하는 기업의 속내와 맞닿아 있다. 사회로 나가 직무가 정해지면 어짜피 선택과 집중을 하게 될텐데 학교에서는 넓은 안목과 통찰력을 길러야 하는 것 아닐까 싶다.

우리나라에서 취업할 곳이 어디 삼성 뿐이랴! 대학이 '삼성맨" 양성소로, "내란학과"로 변질 되는 마당에 안목과 통찰을 기대하는 것은 무리일지도 모르겠다.

그리고 자화상....

그려놓고 보니 심술난 모습인데?


반도체 회사에 입사하기 위해 요구되는 역량?

반도체 회사에 입사하기 위해 요구되는 역량?

상급 학교 진학과 사회 진출의 계절을 맞아 학생 학부모 모두 걱정과 고민이 많을 것이다. 그래서 인지 몰라도 유튜브 알고리즘이 사교육 홍보 동영상을 많이 추천한다.


삼성전자 반도체 회로설계 엔지니어가 되려면 꼭 이 '두 가지' 역량을 기르세요!

이 (홍보) 동영상에 따르면 대기업 입사 면접에서 지원자에게 회로 문제를 설명해 보라고 한다는데 난이도가 여간치 않다. 이에 대비 하려면 학교 수업만으로는 부족하니 사교육 시장이 성장 했으리라. 입시 사교육도 모자라 취업 사교육 이라니 젊은 세대들은 공부하랴 머리가 터져나가고 학부모들은 학비 대느라 등이 터져나갈 판이다. 

입시에서 좋은 성적을 거둔 학생들이 (졸업 후 고수입을 보장 받을지도 모르는) 실용적인 학과로 몰리자 취업을 보장 한다는 유혹까지 내걸며 학생들을 모집한다. 졸업 후 수월하게 현장 투입 가능한 인력을 원하는 기업의 속내와 맞닿아있다. 사회로 나가 직무가 주어지면 어짜피 집중하게 될텐데 학교에서는 넓은 안목과 통찰력을 길러야 하는것 아닐까 싶다.

기성세대(학부모, 교육자, 직장인)들 중 학교에서 전공한 대로 인생이 풀린이가 얼마나 될까. 치열한 경쟁속에서 소수가 살아 남는 다는 것을 잘 알면서 취업을 미끼로 좁은 골목으로 몰아 넣는것 같다. 학부 교육에서부터 너무 시야를 좁히지 않았으면 좋겠다. 전자공학을 전공 한다는 것 만으로도 충분히 좁혀져 있다. 적어도 디지털이니 아날로그니 하며 더 좁히지 말자.

한때는 디지털이 대세라고 하더니 요즘 학회에 발표되는 논문의 7~8할이 아날로그에 몰려 있다고 한다. 그것도 회로와 공정에 집중되어 있다. 아마도 우리의 반도체 산업이 제조에 치우쳐 있는 탓이라는 생각이 든다. 여담이지만, 비메모리 반도체를 부르짖다 정착한 곳이 아날로그(전력소자, PLL, ADC/DAC 등)라니 조금은 당황스러운 면이 없진 않다. ("시스템 반도체"를 부르짖다가 "비메모리 반도체"라고 할때 알아봤다만....)

현대 산업 사회의 근간이 되어온 반도체 관련 산업의 범위는 매우 넓다. 당장 아날로그 회로를 공부하기 벅차더라도 틈틈이 디지털 회로는 물론 반도체 설계 자동화 도구(EDA)까지 시야를 넓혀보길 바란다.


금요일, 1월 03, 2025

부품으로 만드는 연산 증폭기(DIY Op Amp): 1. 커런트 소스(싱크)

부품으로 만드는 연산 증폭기(DIY Op Amp)
1. 커런트 소스(싱크)

트랜지스터와 다이오드 그리고 저항과 컨덴서를 동원하여 연산 증폭기(Op Amp)를 만들어보자. 연산증폭기의 기본 원리를 공부하고자 한다. 이번 연재의 원문은 아래와 같다.

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[원문]
1. DIY Operational Amplifier
    https://www.electroschematics.com/diy-operational-amplifier/
2. Build an Op-Amp (1 of 7): Current Source
    https://youtu.be/Z8JDsvfZjL8?si=uNCE-sWSDXftwUxK
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[그림출처] https://www.electroschematics.com/wp-content/uploads/2013/12/DIY-Op-Amp-Schematic-1.jpg

원문의 내용을 그대로 따라 해보는 것을 넘어서 질문을 해보고 그 답을 찾아보도록 하자.

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질문1) 전원 구성은 +12v와 -12v 로 총 전위차는 24v 다.  연산증폭기의 전압에 양전압과 음전압을 쓰는 이유를 뭘까?

* 이 연재의 마지막에서 이야기 해보기로 한다.

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질문2) R1과 D1, D2 만의 회로가 있다고 하자. 이 회로에 흐르는 전류는 얼마가 될까?

다이오드는 순방향으로 전압을 가하더라도 어느정도 전압차가 되어야 작동한다. 이를 순방향 작동 전압 Vf 라고 한다. 대부분 실리콘 다이오드의 순방향 전압은 0.7v다. 실리콘 이라는 물질의 특성에 기인한 값이다. 게르마늄 다이오드는 0.2v 다.


[그림 출처] https://information-factory.tistory.com/40

위의 회로에서 D1과 D2는 1N4148이다. 데이터 쉬트에 따르면 순방향 전압은 0.62v 가량 된다고 한다.

전류가 통과하지 못하는 것은 저항이 크게 걸렸기 때문이다. 다이오드나 트랜지스터 같은 부품을 능동소자라 하는데 저항특성이 가해지는 전압에 따라 변한다는 뜻이다. 능동소자를 작동시키기 위해 가하는 전압을 바이어스(bias)라고 한다. 부품 제조시 정해지면 변하지 않는 일반 저항을 수동소자라 한다. 전자회로가 복잡해 보이지만 결국 저항과 전류와 전압으로 단순화 할 수 있다. 그래서 저항 네트워크를 그려놓고 전압과 전류를 계산하는 문제를 그렇게 열심히 풀었던 거다. 시간 상으로 전류와 전압이 요동치는 현상에도 다 이유가 있을 것이다. 그 이유를 수학으로 밝히는 행위가 신호와 시스템이다. '시스템"이라는 말속에 시간상 발생하는 사건의 변화(전자회로에서는 전류와 전압의 변동으로 표현)가 유기적으로 묶여 돌아간다는 의미를 가지고 있다.

다이오드에 순방향 전압을 가하면 Vf 만큼 전압이 떨어진다. 이를 "전압강하"라 한다. 회로에서 다이오드 2개를 통과 했으므로 전압 강하는 1.24v 가 될 것이다. 총 전압은 24v 이었으므로 두 다이오드에 의한 전압 강하를 빼면 R1의 양단에 걸리는 전압은 24-1.24=22.76v가 되겠다.

그렇다면 이 회로에 흐르는 전류는 얼마일까? 회로에서 전류를 측정하려면 도선을 끊고 전류 측정기를 연결해야 한다. 멀쩡한 회로를 끊어낼 수 없으니 보통 저항 양단의 전얍을 측정하여 옴의 법칙으로 전류를 계산한다. R1에 이어 D1, D2로 흐르는 전류는 옴의 법칙으로 계산된다. 일단 다이오드가 켜졌으므로 두 다이오드의 저항은 0이라고 하자. 옴의 법칙에 따라 전류는 22.76v/220k=103uA 다.

보는게 믿는 것이다. 측정해 보기로 한다. 중국산 3천원짜리 멀티 미터 이지만 제법 그럴듯하게 측정된다.

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질문3) 커런트 소스(Current Source)는 어떤 기능을 하는 회로일까?

일단 의문을 나중에 풀어보기로 하고 아래와 같은 회로를 따져보자. NPN 형 트랜지스터를 써서 커런트 소스 회로를 만들었다.

회로를 분석한다는 것은 소자들이 연결된 각 지점의 전류와 전압을 구하는 일이다. 수동소자를 쓰든 능동소자를 쓰든 회로를 구성하는 목적은 원하는 전압과 전류를 얻기 위함이다. 기묘한 조합의 저항 네트워크를 구성해 놓고 전류와 전압을 구하라는 숙제에 골머리를 앓는다. 키르히호프(커초프) 법칙이니, 데브난 법칙이니 하는 것들이 등장 했었다. 문제풀이에 급급하여 이런 얼키설킨 저항회로를 만든 목적을 망각하지 않길 바란다.

NPN 트랜지스터가 더해진 회로를 보자. 두 다이오드 사이에 걸려있는 전압이 트랜지스터를 켤 수 있는 문턱전압보다 높은 약 1.01v 이었다. 트랜지스터의 컬렉터 단자가 개방되어 있지만 이와 상관 없이 베이스와 에미터가 다이오드 처럼 작동한다. 트랜지스터의 베이스와 에미터 사이의 전압강하를 측정하면 0.6v 가량이다.

D1과 D2에 걸려 있던 전압이 1.01v 였으나 트랜지스터가 작동 되면서 전류가 흐르는 통로가 하나 더 생겼으므로 전압이 떨어졌다. 측정해 보니 0.871v가 나왔다. 트랜지스터의 베이스와 에미터 간 다이오드 동작으로 강하된 전압 vBE=0.599를 빼면 R3에 걸릴 전압은 0.272v (=0.871-0.599)가 될 것이다. 실제로 재보니 0.273v 로 측정됐다. 부품의 편차와 회로 구성 빵판의 접촉 저항등을 고려 하면 측정의 오차는 피할 수 없다. 3천원짜리 멀티미터도 쓸만 하다. R3에 흐르는 전류를 계산하면 85uA 다. R3에 3.3k 옴의 저항이 필요 했는데 부품통에 1k와 2.2k짜리 밖에 없어서 직렬 연결 했다.

위의 계산에서 R3로 흐르는 전류는 컬렉터가 개방된 경우다. 컬렉터에 부하저항을 넣어보자. 컬렉터로 흘러가는 전류 Ic가 124uA로 측정됐다. R3의 전압은 392mV 이므로 전류를 계산하면 0.177uA다. Ic에 트랜지스터의 베이스와 에미터 사이에 흐르는 전류가 더해져 Ic보다 크게 나온다. 컬렉터 개방시 85uA를 더하면 200uA(=120uA+85uA)정도 나와야 했지만 다소 낮다. 측정기의 오차를 감안하여 이해하도록 하자.

컬렉터에 부하로 가변저항을 붙여두었다. 부하 저항을 조절하여도 컬렉터에서 R3를 흐르는 전류값은 변하지 않는다. 이 부하에 상관 없이 항상 일정한 전류만을 끌어당기는 특성이 바로 커런트 소스(싱크)의 역활이다. 두 입력의 전압차를 감지하는 차동 증폭(Differential Amplifier)기의 중요 지원 회로다.

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외국의 전자공작 취미가의 이야기를 들어보자. 전자회로에 더하여 외국어(영어)공부도 겸하면 일석이조 아닌가! 중간 중간 실수를 하고 곧바로 바로잡는 장면이 나온다.

#411 Build an opamp (part 1 of 7) current source

다음편은 차동 증폭(Differential Amplifier)이다.

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[더보면 재미있는 영상자료]

Transistor Current Sources and Mirrors (커런트 소스와 미러)
https://www.youtube.com/watch?v=xR0RfmmRhDw

The differential amplifier, aka long-tailed pair, diff-pair (차동 증폭)
https://www.youtube.com/watch?v=mejPNuPAHBY

IV Curve Tracer(전류와 전압 곡선 시현)

뜬금없이 전류-전압 곡선 시현장치를 소개하는 이유는 트랜지스터의 가장 중요한 그래프가 바로 IV 곡선이기 때문이고, 아날로그 회로 측정과 고정 탐지 장치로 유용한데다 아주 간단하게 만들 수 있고, 무엇보다도 재미있다.

- 전력선 교류를 아주 교묘히 테스트 신호 생성기로 사용함.
- 전력선의 교류신호 전압에서 전류 검출을 위해 저항을 사용

The “Octopus” Curve Tracer
https://youtu.be/v624znnMpwI?si=NPdEsPpiq7UrBzzh

Let's Build an Octopus (IV Curve Tracer)
https://youtu.be/SORi-WNxjaI?si=EqTElRxmdf_48tIz

Curve Tracing Resources:

1. Octupus, Over-all component tester(모든 부품 시험기)
https://www.gbarc.ca/archive/nl1975may.pdf



2. Tektronix TR-210 Tracer Manual
https://w140.com/tekwiki/images/5/57/071-0114-01.pdf

3. Fundamentals of Signature Analysis(오실로스코프 X-Y 시현의 원리)
https://huntron.com/corporate/docs/ASA-paper-extract.pdf

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비메모리 설계 엔지니어를 위한 학습 계획?

비메모리 설계 엔지니어를 위한 학습 계획?

어재까지 수능 기출문제 풀이에서 대학에 들어오자 창의적 프로젝트를 수행하라고 하니 적잖이 당황 스럽겠다. 게다가 과학기술의 수준을 고려하면 학생들에게 요구하는 수준이 예전과 다르다. 이에 학교 수업 만으로는 부족한지 취업을 목표로 사설 교육시설(온-라인)이 시선을 잡는다. 비메모리 반도체 설계를 가르친다는 온-라인 교육기관(?)의 광고성격 동영상 이지만 들어볼만 하여 옮겨 본다.

비메모리 설계 엔지니어를 위한 설계독학맛비's 로드맵

대학에도 사교육이 필요한 시대가 되었나 보다. 외국도 이런 사설 기관이 있을까? 아니면 대학 내에서 소화될까? 그들도 사정은 다르지 않을텐데...

참고로 "독일의 오픈-소스 도구를 활용한 반도체 설계 인증 교육과정"이 진행된다고 한다.
https://fun-teaching-goodkook.blogspot.com/2024/09/blog-post_30.html